这一块也是个难点。
    不过这些东西，从今天起，都是过去式了。
    你岛国的单晶硅和单晶炉卖的再便宜，别人也不会再要了。
    和单晶炉直拉法比起来，‘化学气相沉积-硅核心外延法’简直有太多的优势了。
    制备成本更低，生产出来的单晶硅程度更高，生产步骤中不需要有专人盯着等等等等。
    这种降维级别的打击，就是这么致命。
    .......
    将能够处理的材料都进行基础处理后，韩元又一次来到了无尘工作室。
    不过和之前制备光刻机时不同，制备单晶硅要求的无尘环境要低好几个档次。
    万级的无尘车间就足够了。
    在化学实验室初步处理过的基础材料再度进行了深层次处理，韩元又检查了一遍需要使用的仪器和材料。
    确认所有的东西都准备就绪后，韩元拉过拍摄镜头，道：“‘化学气相沉积-硅核心外延法’一共有七个步骤。”
    “第一步：提供可供预处理的基底。”
    “第二步：清洗。”
    “第三步：提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上。”
    “第四步：向制备仪器腔
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