而且使用硅核心外延法制备单晶硅时，反应室中的反应是很复杂的。
    有很多必须考虑的因素，比如沉积参数的变化范围是很宽的，反应室内的压力、晶片的温度、气体的流动速率、气体通过晶片的路程、.......、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等各种条件都需要考虑进去。
    所以硅核心外延法相对于单晶炉制取单晶硅来说需要耗费更多的人力物理，以及更苛刻的条件。
    不过这些对于韩元以及华国来说根本就不算什么。
    韩元是手里有足够的技术，而华国，庞大的人口就是底蕴。
    带着制备单晶硅的材料，韩元来到化学实验室，先将所有的材料清洗干净后再用蒸馏出来的纯净水清洗一遍。
    尽量的减少附着在上面的杂质。
    当然，这只是第一步，后面肯定还有繁多提纯冶炼的步骤的。
    单晶硅的纯度小数点往后推移一点，制备的难度就呈几何形式提升的。
    虽然通过‘硅核心外延法’制备出来的单晶硅纯度能达到99.9999999%以上。
    但这只是理论阶段，他目前根本就做不到这种纯度的单晶硅冶炼提升。
    环境和设备都达不到要求，以现
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