n-漂移层时使用‘电热离子渗透法’。
    “如果说，将这种技术应用到芯片的硅基底上会怎么样？”
    在震惊过后，研究这一方面的科研学家脑海中都冒出来了一个大胆的想法。
    毕竟晶体管的碳化硅基底的制造和芯片硅基底的制造在某些程度上是有相同步骤的。
    比如铝离子的注入，沟槽的侵蚀，这些东西都完全可以应用起来。
    更关键的是，这名主播制造p型硅的时候，使用的是多晶硅！
    多晶硅和单晶硅虽然只有一字之差，但两者的制造难度截然不同。
    如果能用多晶硅来代替单晶硅当做芯片的硅基的话.......
    想到这，所有科研学者的呼吸不由自主的沉重了起来。
    ........
    模拟空间中，韩元并不知道自己今天的实验给外界带来的震撼。
    他还在忙碌着给碳化硅晶体管进行测试并记录所有的数据。
    太阳落山，时间又至夜晚。
    物理实验室的电灯早已经升起，而通过不断的进行测试后，韩元也顺利的完成了针对这枚晶体管的‘放大能力’的检测。
    至于剩下的工作，放到明天来做。
    毕竟针对性的测试并不少。
  
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