这是物理极限，由硅原子和硅晶格的直径决定的，硅原子的直径是0.117纳米，但硅晶格的直径是0.5纳米左右。
    当硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效应将使得“电子失控”，芯片就完全失效。
    准确的说，传统的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已经存在量子隧穿效应了。
    但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。
    世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。
    但无论再怎么更换晶体管的材料，硅基底的物理特性摆在了哪里。
    也就是说，硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。
    低于一纳米，穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基底的晶格结构，从而造成电子乱串。
    这也就是所谓的‘量子隧穿效应’，亦是硅基芯片的极限。
    然而这也只是理论，实际上由于物理所限，硅基芯片技术能做到两纳米几乎是极限了，硅基管不能再小了。
    一纳米，那几乎就是黑科技。
    所以芯片如果想要再进一步发展，那么寻找其他的材料来替换硅半导体这是必须的。
    有关碳基芯片的消息，韩元也是知道一些的。
    毕
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